我国首个EUV光刻胶标准项目立项。国家标准委网站显示，我国首个光刻胶标准——《极紫外（EUV）光》
我国首个EUV光刻胶标准项目立项。据国家标准委网站消息，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为立项标准，将于10月23日公布，截止日期为11月22日。该标准起草单位包括上海大学、张江国家实验室、上海集成电路制造有限公司微电子装备（集团）有限公司。 百度应用程序并享受高清图像。作为我国首个光刻胶标准，具有重要的现实意义。该标准的制定不仅将填补国内该领域技术标准的空白，也为今后国内外EUV光刻胶的性能评价提供客观依据，促成综合测试体系的建立。具体来说，标准实施后，主要实现目标：一是建立测试数据互认，降低晶圆厂进口国产材料的风险；二是推动检测设备国产化更新换代，有效降低研发成本。三是加快产业从“进口引进”向“自主可控”转变。该标准的制定，为我国EUV光刻胶关键技术的突破提供标准支撑，推动国内高端光刻胶产业高质量可持续发展，提升我国在全球半导体材料领域的话语权和竞争力。局域化率为0。EUV光刻胶是极紫外光刻的关键材料，工作波长为13.5nm。主要用于7nm及以下工艺的集成电路生产。是实现小型化、高性能生产不可缺少的材料高级芯片，例如高级逻辑芯片和高端存储芯片。目前，随着全球半导体产业加速向先进工艺演进，EUV光刻技术已成为7纳米及以下节点唯一的量产解决方案。然而，EUV光刻胶已被国外先进半导体材料公司（JSR、东京安佳等）完全垄断。目前，国内在EUV光刻胶测试领域尚未建立统一的技术规范，现有的测试方法大多遵循国外公司的标准，导致灵敏度（E0）、线条粗糙度（LER）等基本性能指标的测试过程缺乏标准化。这不 不仅使得国产材料的验证周期长达1至2年，也严重抑制了我国光刻胶行业的自主创新和发展。 The unification of standards can clarify the minimum requir针对不同性能的光刻胶的特性和测试方法，确保不同批次、不同供应商的光刻胶能够稳定适配EUV光刻机，避免因材料波动而导致芯片图案缺陷。同时，降低了企业芯片制造的适配测试成本，降低了因材料不兼容而导致制造中断的风险，提高了先进芯片工艺的良率。 Technology continues to make breakthroughs.作为半导体制造的关键材料，光刻胶国产化受到政策的高度重视。 《原材料工业发展“十四五”规划》将光刻胶列为新材料突破的重点品类。近期，EUV光刻胶的基础研究不断取得突破。北京大学、南开大学、华东理工大学、清华大学相关部门已发表相关研究成果。据科技日报报道，近日，北京大学化学与分子工程学院彭海林教授团队及其合作者利用冷冻电子断层扫描技术，首次原位研究了液体环境中光刻胶分子的微观三维结构、界面分布和行为行为，指导开发可减少光刻的工业解决方案。 10月16日，南开大学现代光学研究所宣布，其研究团队在氧化钛簇光刻材料领域取得重要进展，成功实现了原本光刻惰性的氧化钛团簇的纳米图形化应用，最终制备出了12.9纳米高分辨率氧化钛基EUV负图。光刻胶。 9月19日，华东大学举行科学技术学院表示，该校已推进先进光刻胶薄膜的去除和制备研究。提出了一种间歇式旋涂化学液相沉积制备非晶沸石咪唑骨架（AZIF）薄膜的方法，实现了薄膜沉积速率和厚度可控，并通过电子束光刻和超极紫外光刻进行了验证。 7月28日，清华大学发布消息称，“据报道，该校化学系徐华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料方面取得重要进展，研发出基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造关键材料提供了新的设计策略。该光刻胶单体产品通过客户验证，销量数百公斤。业绩表示，期间 报告期内，提价策略持续推进光引发剂有限公司液体部分产品实施，半导体显示材料大新业务板块增长迅速；康达新材料表示，报告期内新材料板块的胶粘剂和特种树脂总销量稳步增长。从研究机构数量来看，年内有11只概念股被13家及以上机构调研。飞凯材料、广信材料、八亿时空、艾森控股等个股“研究”机构数量排名第一。在基本规则下评估新的期望。点击下方预约并锁定直播！ ? 时间：10月27日（周一）12：00-13：00 特邀嘉宾：国泰海通首席投资顾问朱超（执业编号：S0880614030023）直播平台：大宝视频号 ?各大政策要点 ?弱势下棋机会分析 ?解答您的期望 ROULE ROUTH VS 中线布局时机 ? 在线互动。免责声明：数据宝所有信息不构成投资建议。股市有风险，投资需谨慎。编辑：谢依兰 校对：《杨树新》
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